大家认为北方华创科技集团股份有限公司靠谱吗？
我来分享一下，挺靠谱的。北方华创是由北京七星华创电子股份有限公司和北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司战略重组而成，重组完成后，公司对已有业务进行了整合划分，形成了半导体装世大橘备、真空装备、新能源搜团锂电装备和高精密电子元器件的四大业务板块经营管理模式，它是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。公司各方面是挺强的，而且很有发展仿野潜力，整体来看，可以说明公司不错。我的答案能否帮你解决问题，如果能希望能采纳下
视频播放到中间时暂停了必点“播放”才能放如何解决？
这有可能是你的网络速度慢，缓冲文件时间不够长造成的，你看看是不是每个机器上都这样呢？如果是，那再考虑你的源文件问题吧
cvd钻石国内有卖吗？大概多少钱?
你好，，cvd钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的。你要是不介意的话，可以的，，
北方华创应用支持工程师怎么样？
北方华创应用支持工程师非常好，岗位职责：半导体产线新设备的接货、安装、调试和验收工作；设备的日常维护和技术支持；客户需求信息搜集和反馈； 竞争对手信息搜集；建立于客户的良好合作关系；推动备件销售和设备的二次销售；撰写日常维护日志，周志和月报告；完成部门安排的其它工作。
北方华创投资前景如何？北方华创未来发展前景？不想亏钱必须懂！_漫漫看专栏
最近不少股民朋友都在公众号问我，北方华创 002371怎么样呀？值不值得上车？今天咱们就来详细讲讲，北方华创这支半导体设备板块的热门股。
半导体设备，指的是用于生产各类半导体产品所需（晶圆制造占80%，还包括检测、封装、硅片制造等）的生产设备。
可以说是半导体产业链的上游，然而从芯片设计、晶圆制造到封装测试整个环节，只有符合设备允许的范围内才能进行设计和制造，实际上就是“一代设备，一代工艺，一代产品”。
下面给大家从需求侧和供给侧来分析下半导体设备板块的投资逻辑：
在最近几年，汽车电子、人工智能、工业物联网、5G应用、光伏等领域发展很迅猛，叠加海外疫情肆虐带来的“缺芯荒”，芯片市场需求量大，晶圆厂野爹抓紧时间扩产，同时芯片国产替代发展速度很快，因此产生大量的半导体设备需求。
从全球看，半导体设备行业的集中度特别高，可以说是被美日企业所垄断，别看我国半导体设备企业起步晚，不过受益于企业的努力和国家扶持，在多个领域已填补国内空缺，技术追赶迅速，供给能力迅速提升。
所以受益于芯片需求的增长，并且整个半导体产业链在逐渐向国产化发展，所以未来半导体设备行业景气度还是比较高。
如果你想了解有关半导体设备后期走势如何？又或者想知道后市应该关注哪些方向？直接点击下方链接,获取研究员对行业的深度解读：
北方华创科技集团股份有限公司是由北京七星华创电子股份有限公司和北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司战略重组而成，是如今国内集成电路高端工艺装备企业中的先锋。
北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务，给新能源、半导体以及新材料等领域提供解决的方案。公司当前创立了四大产业制造基地，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。
营业收入上，半导体设备、真空设备、锂电设备、电子元器件等是北方华创主要经营业务。
北方华创就是我们国内高端工艺装备的一家主流供应商，主要产品为电子工艺装备和电子元器件。
从半导体装备业务方面可以了解到，公司把在研发中形成的具有自主知识产权的核心技术体系运用起来，公司持续加强研发投入,扩展产品应用领域，向高端集成电路装备市场陆续推出产品，所开发的用于12吋晶圆制造的刻蚀机、PVD、立式氧化炉、扩散炉、气体质量流量控制器等设备产品已成功实现了产业化。
从电子工艺装备方面会发现，北方华创面向集成电路、先进封装、半导体照明、微机电系统、功率半导体、化合物半导体、新能源光伏、平板显示等8个产品领域，把半导体生产前处理工艺制程中的大部分关键工艺装备都包含了。目前公司在北京经济技术开发区、中关村电子城高科技园区、美国宾夕法尼亚州拥有制造基地，营销服务体系在欧、美、亚等全球主要国家和地区都有覆盖。
根据调研得到的情况来看的话，全球半导体设备的景气度逐步完善，国内半导体设备厂商能较快的步入业绩快速放量阶段，不仅有成熟设备需求放量，并且还有新设备稳步验证，北方华创作为半导体设备国产化核心标的，有望显著受益。针对设备验证方面，目前国产设备的验证保持较为平稳的发展状态；提及订单，重点客户扩产规划平稳地推进中，希望仅需很短的时间看到重点客户大额订单的落地及相应份额的显著提升，预计公司2021-2023年收入可达到96.0/145.0/195.0亿元。
另外，北方华创的刻蚀、炉管、PVD三大主力产品顺利大规模导入国内主要晶圆代工厂、先进存储制造商以及广泛的其他领域半导体制造项目，北方华创对于清洗、CVD等领域也在进行积极布*，同时还拥有泛半导体领域的光伏设备、面板设备、LED设备及元器件业务。北方华创比较充分的发挥其广泛的产品线布*和丰富验证、商业方面拥有的经验，处于本土晶圆制造的大扩展当中，希望能受益。
业绩预告显示，公司预计2021年实现营业收入84.8-109.0亿元，同比40%-80%；预计实现归母净利润9.4-12.1亿元，同比75%-125%；预计实现扣非后归母净利润6.9-8.9亿元，同比250%-350%，实现基本每股收益1.8730元/股-2.4082元/股。
北方华创业绩增加主要取决于2021年半导体行业快速成长以及我国半导体产业链国产化的大趋势，从市场上的SEMI数据来看，预计2021年全球半导体设备销售额将达到1030亿美元的新高，比较起同期来说，增加45%，中国大陆市场规模将保持领先。
依照2021年业绩预告，我们对北方华创的主要财务指标表现进行了回顾总结：
相对于去年三季报来说，北方华创盈利能力下降了一些。位于一年中相对高位。
和去年三季报一对比，北方华创成长能力在一定程度是下降了。位于一年中平均位置。
比较起去年三季报来说，北方华创偿债能力依旧平稳。位于一年中平均位置。
比较于去年三季报来讲，北方华创运营能力逐渐变弱。
相比于去年三季报来讲，北方华创现金流能力持续恶化。位于一年中相对低位。
其中就现金满足投资实力逐渐被略显削弱了，现金运营指数低，显示利益质量下降。
排雷指标无任何异常，体现了北方华创经营正常，公司井然有序地发展。
该股委比为，卖盘比买盘；委差为，说明；外盘内盘，后期存在可能。
今天我们对半导体设备板块和北方华创的基本面、政策面、技术面、资金面都做了详细的分析，那么对于咱们散户而言，后市是应该继续增持还是减持？点击下方链接，一键获取分析结果：
数据来源：同花顺财经、股掌柜；图片来源：网络
【风险提示】本文内容中提到的投资品种不构成投资建议，请投资者注意风险独立审慎决策。投资有风险，入市需谨慎。
【中信建投电子】掘金半导体系列电话会第①期：晶圆制造现状及光刻进展20180625
欢迎关注中信建投电子研究
会议情况
时间：2018年06月25日下午四点
主题：国内晶圆制造现状及光刻相关技术进展
出席：韦亚一，千人计划专家，中科院微电子所计算光刻研发中心主任
开场与嘉宾介绍
中信建投电子首席分析师-黄瑜：
专家分享
集成电路先进工艺专家韦亚一：
总体：集成电路主要分成设计、制造和封装三大块。举个形象的例子，就像建房子，设计相当于画图纸，制造相当于真正砌房子，封装相当于装修。对于中国大陆来说，整个集成电路产业链中，相对较弱的一块是制造。华为海思、展锐等设计公司，他们产品也主要是通过海外晶圆厂代工的。所以我们国内IC制造环节偏弱，今天我就重点讲制造相关内容。
制造：晶圆制造，对于到不同的工艺（制造方法），需要专用软件先设计，及半导体设备，专用材料来实现制造。国内典型的芯片制造企业有中芯国际、华虹集团、长江存储（以前叫武汉新芯）。国外大型企业有三星、台积电、Intel等，这些公司属于芯片制造。而Intel和三星还自己做设计，属于IDM企业。目前国内制造水平和国外差距差不多在五年。按照摩尔定律，五年差距相当于两个技术代左右。现在中芯国际量产的技术节点是28nm，而国外量产的多是10-14nm。最近中芯国际有好消息，部分14nm的良率已经出来了。总的来说，制造是我们国家最弱的环节。而设计，已经具备一定竞争力，如海思、展锐等大陆公司也排名前列。封测上，长电科技、华天科技和通富微电等封装企业均在全球前十。晶圆制造和国外差距较大，相应的制造设备和国外差距也差不多是五年，2个技术代这样的情况。制造环节，如果一定要排序，国内相对较好的是专用材料，如靶材，部分研磨液等耗材，稍微好点。制造和设备环节都发展偏弱。这是目前国内IC产业的大概现状。
光刻环节：整个制造过程中，光刻是最最关键的一步，因为只有光刻能够把设计图纸的内容印刷到硅晶片上，摩尔定律往下走是靠光刻进步来支撑的。从制造成本来看，30%左右是花费在光刻上的。光刻需要多次曝光，将晶圆按照一层层版图的设计，制备成所需的器件结构，形成最终的芯片。以中芯国际量产的28nm为例，差不多有几十层掩膜，对应几十层设计版图，一层层地要通过光刻将设计图形做到衬底上去。所以相对来说，光刻的成本和技术含量都比较高，具备相当的门槛。
设备：全球最领先的光刻机厂商是荷兰的ASML。以前还有尼康，当然现在尼康也排名第二。原来还有佳能，但现在佳能只走低端路线了，基本要退出了。在IC设备领域当中有这样一种说法，份额第一的厂商可以吃肉，第二的厂商只能喝点汤，第三基本上活不下去的。我们国家对这块有战略部署，比如02重大专项，2008年开始。带动了上海SME，也就是我们国家制造大型专用光刻机的企业的发展。另外还有匀胶显影设备，光刻需要涂胶，这种设备是光刻领域使用很多的第二号设备。目前这种设备也是被国外TEL（日本）公司垄断，日本另外一家Sokudo，份额为10%。此外三星下属公司有一部分匀胶显影机。我们国家也有企业做这块，就是我原来担任CTO的沈阳芯源，也做匀胶显影设备，目前正在发展中。光刻里还有些量测设备，比如光学测量线宽，测量套刻精度。因为器件结构一层层往上堆的时候，要和前面已经刻蚀好的图形进行对准。这些量测设备也是基本被国外的设备商应用材料、科磊等垄断。我们公司也有做量测设备的，如上海瑞利，深圳也有公司在做，但市场份额很少。目前设备的国产化率，就中芯国际或者华力来说，基本上光刻设备全部来自国外。尽管我们国家有上海SME，沈阳芯源、上海瑞利等公司做一些设备，但他们的设备基本没有被大量采用。设备这一块就是这样的状况。
材料：用的最多而且重要的是光刻胶。因为光刻跟拍照一样，需要光敏感材料。光刻胶目前国内也比较落后。国内现在能够量产的只有KrF胶，是对应248nm波长的光刻胶。光刻胶其实利润很大，一加仑光刻胶的成本也就是200美金左右，但最便宜也要卖到400-500美金，毛利率100%。所以现在国内有些效益比较好的化工企业进入光刻胶领域。光刻胶真正高端的还是来自国外，主要是日本，国内只是有些低端产品供应。按照市场占有率来排，第一是日本JSR，之后日本信越，日本TOK，日本SUNITOMO。光刻胶这块目前基本是日本垄断，欧美有一点份额，包括美国SEMATECH也有些。国内只有在最新的三个技术代往下才有少量供应，这是光刻胶这块的情况。
软件：光刻还需要版图软件，对版图进行设计和处理。该软件主要供应商，市场份额最大的是美国公司MentorGraphics，现在被德国西门子收购了；第二家是ASML下属的一家美国硅谷公司，叫BRION；第三家是新思科技。整个光刻软件被这三家公司垄断。而在国内，国家重大专项也有部署，在北京亦庄这边有海归团队在做版图软件，但目前还没有用于量产。主要原因是，这些版图软件太重要了，牵涉到几十层版图和曝光，如果稍有差错，会导致整个芯片废品率很高。所以大家非常谨慎，不太愿意用国产的，可以说市场份额100%被国外产品占领。整个光刻的情况基本就是这样。
问答环节
1、最近看到晶圆制造整个行业景气度很高，产线基本都满载，据您了解主要原因是什么，后续的趋势如何判断？
目前来说，国内不管是12寸晶圆生产线还是8寸生产线，基本都是满负荷生产的。主要因为我们现在的无线通信和5G、VR、AR、人工智能、物联网等实际载体都是芯片，带来了大量芯片需求。特别是现在物联网，对传感器和MCU这块需求很大，而这些传感器并不需要先进制程做，所以导致很多8寸线的产能都很满。
2、国内半导体，其实设备、材料、工艺、软件相对来说都是比较薄弱的，您看未来我们投资要抓重点的话，哪块领域会比较有前途？
根据我们过去的经验，比较理想的投资标的应该是设计或者材料方面，因为设计是偏软类型，fabless成分多点，设计相当于画图纸，基本上都是靠软实力，需要的EDA工具只有软件和服务器，相对投入成本不高，而且设计的好坏可能一两年就能有所显现。因为设计完成拿到fab厂商（比如中芯国际）进行加工，投片后行或者不行很快就能知道结果，这和互联网公司比较容易发展起来的原因类似。另外比较容易发展起来的就是材料，因为材料同样成本比较低，相对来说门槛也比较低，而且生产不同材料之间转换比较容易。
而最困难的是做fab，比如说中芯国际的投资额动辄几十到几百亿，还有比较困难的是做设备。如果是民营资本，一般不建议去投fab，当然从国家战略需求可以去投资。如果要投资设备，建议投行业龙头，比如做光刻机就投SME；做刻蚀机肯定投上海的中微半导体、北方华创；做CVD、PVD肯定投北方华创。因为从国家战略角度，行业龙头是一定要保住的，哪怕每年经营现金流是负的，也要支持它生存下去，因为这些龙头代表了我们国家在IC相关领域的最高水平。
3、您刚才提到我们的技术和国外差两三代，最近台积电又在往5nm方向试研发，技术进步一直没有停止，这种情况下我们怎样缩小差距呢？要缩小差距，现在欠缺的是什么？
微电子的行业属性是，技术高度密集，而且直接面临着国际市场化竞争。过去一些老专家说我们当年两弹一星都能做出来，为什么你们光刻机都做不出来。两弹一星是不存在市场竞争的，而国内光刻机制造商直接面临的就是世界一流的光刻机供应厂商的竞争，这就是半导体行业的特征。虽然现在特朗普有签署禁售令，国内现在建这么多Fab厂，但很多设备还是从国外进口来的。在市场竞争的环境下，即便国内把技术解决了，但成本控制不到位，国内企业也没办法生存下去。
从长远角度，我们国家的微电子一定会发展起来。上个世纪80年代，大家都觉得我们国家钢铁落后，但现在看来我们国家的钢铁在去产能。同样集成电路行业，虽然目前我们和国外的技术差两三代，而且这个差距一直没有缩小的迹象，但是我相信再过十年，我们国家的集成电路是会做起来。因为随着技术越来越往下走，芯片制造已经变得越来越困难了，成本也越来越高。原来在90nm技术节点的时候，全球很多家企业都有生产，而现在到了28纳米，全球只有几家有进展，数量高度萎缩，因为一般企业没有能力投资这么大的项目。但我们中国企业有产业支持，虽然现在和国外技术差两三代，但会一直持续突破和发展下去。根据之前统计，除了国家大基金外还有各省市的集成电路产业基金，像长三角地区，连昆山都有集成电路产业基金。这么多资金投下去，大浪淘沙，我相信从现在开始十年左右，我们集成电路产业一定会进入世界第一梯队。
4、从长远来看，您相信国内集成电路产业一定是会取得突破的，那有没有什么标志性的事件会让大家觉得看到国产突破加速的希望？
没有这样标志性的事件，因为半导体产业属于很庞大的体系。因为中兴事件的发生之后，很多人都问我类似问题，实际上很多国家都没有独立承包整个集成电路产业的能力。因为集成电路非常复杂，种类繁多。你中有我、我中有你，关键是我们和国外相比，能够占到百分之多少的份额。目前的情况是，中国大陆比较弱，美国一制裁中兴，我们就找不到替代方案。另外，在整个集成电路的发展中，有一个很重要的思路，就是说现在的集成电路产业投资这么多，将来可能把芯片卖出白菜价。我的看法恰恰是，集成电路制造的整个产业链很长，完全是高技术产业，需要很强的智能制造能力。如果将来中国大陆的芯片能卖出白菜价，那中国一定是制造强国而不仅是一个GDP大国。
5、3DNAND和2DNAND在制造工艺上差别大吗？如果做3DNAND，设备是不是需要重新变线呢？
差别很大。虽然他们的基础都是晶体管。但是晶体管的沟道，对于二维晶体管是平放的，在晶体表面流动；3D相当于把沟道竖起来走。所以两者工作原理类似，但是结构、制造技术差别较大。设备重新变线是需要的，有些特殊工艺需要特殊设备来支持。当然和2DNAND相比，也有些通用设备。
6、DRAM和3DNAND在制造流程上的区别？
DRAM和NAND是两种完全不同的器件，两者虽然都是存储设备，但是制造的步骤和流程差别比较大，有些设备是可以共用的（比如光刻设备），但是肯定存在不同的地方需要专用的工具来做，具体的工艺步骤都是不一样的。
7、请问您对国内长江存储和合肥长芯的IDM模式有什么看法呢？
IDM意思是IntegratedDesignandManufacture，比如英特尔公司对于产品的设计和制造是一体的，属于IDM企业。IDM是相对foundry来说，而foundry就是代工，比如台积电，联电，中芯国际等。再说长江存储，存储这块基本上没有代工的概念，它必须自己做设计以及制造。我们通常说代工，都是针对逻辑器件，而存储器件基本上都是IDM模式。
8、请问存储器件和逻辑器件，在工艺上的区别有哪些呢？
区别非常大，他们本身设计上的版图就不一样。存储器件是一个个存储单元，从制造角度来说，它对于图形的规则性非常好，加上其需要器件密度很大。所以制造工艺，它和逻辑器件是不同的。
9、是否由于漏电问题，存储工艺是最难实现的？
并不能这么说，因为存储器有存储器的要求，逻辑器件有逻辑器件要求，两者有各自的独特性能要求，不能很简单的说其中一方比另一方工艺更容易。
10、关于中芯国际的28nm还存在些问题，请问问题在哪边？
这边不方便评论其内部技术。
11、请问从光刻技术来看，比如7纳米，14纳米和28纳米相比，难度差异在哪方面体现？
从光刻角度来说，对于28纳米，它的任何一张版图只需光刻一次就能做完，因为此时光刻机的分辨率能够将其任何一张版图都分辨出来。而进入14纳米和7纳米后，由于光刻机的分辨率达不到，所以需要将版图进行拆分，造成成本大幅上升。而且工艺复杂性提高，导致良率也大幅下降。
12、如果EUV采用之后，会不会有效地减少我们光刻的次数？
是的，因为光刻机分辨率不够是相对的，是针对目前的浸没式光刻机来说。如果EUV极紫外光刻机到了以后，分辨率会大幅提高，能使曝光次数大幅下降。但是EUV光刻机价格十分昂贵，且EUV光刻机的产片速度也比现有光刻机的要低得多。产能变低，设备成本又上升，虽然曝光次数减少了，但是从成本上还是需要细细考量，仍需要性价比的权衡。另外的问题比如说，如果工厂里面只有一台EUV光刻机，如果EUV光刻机当机，就会影响生产进程，这些都是需要全面考量的。
13、把光刻机设备拆分来看，哪些部分跟国外比有很大差距或自己有可能突破？
实际上光刻机一定是先做系统集成，分成镜头，照明系统，供电台，光源等按照模块分成各个部分。目前，我们国家的光刻机研发也是按照这个思路进行，光源是由北京光电研究院研发，镜头是由长春光机所负责研发，供电台是由清华大学负责研发等。所以整个光刻机也是一个协同体系。而每一模块与国外相比，其实差距都还挺大的，暂时还没有一个模块能够达到与国外同样的指标或者水平。
14、请问每个模块产生差距的原因，是由于经费、基础研究水平，还是需要时间去积累呢？
其实有很多方面的原因。第一个原因就是分系统方面，分系统中有大量的配件，而我们国内的加工水平都和国外有很大的差距。比如说机械手，机械手在传片过程中，其平稳度和到位/定位精准度，离理想位置是偏差几十微米还是几百微米，都极大考验了零部件的加工水平，而我们整个这块是弱于发达国家的。设备是整个加工体系的综合展现，有些部件本来我们也就是空白的，比如干涉仪，国内就没有，得从国外找。而第二个原因就是，总体投入仍然较少，半导体是个重研发的行业。基本上可以从光刻机的水平，去看中国制造的整体水平。
15、如此来看整个中国制造水平，是否十年也难以赶超？
赶超这个词需要细致定义。即使是美国也没办法关起门来，所有的半导体产品都能自我完备，它的光刻机设备也需要依靠荷兰ASML。所以说我们与国际先进国家相比，比如美国，荷兰，日本等，是一种你中有我，我中有你的相互依存状态，无法离开对方。并不一定需要做到所有环节的自主供应，只需要互相有依赖就不会轻易被卡脖子。
16、现在市场上8寸线二手设备的供应情况您是否了解？因为现在设备厂商如应材，基本上8寸设备产品已经停掉了，八寸二手设备是不是面临供不应求？
我先说现状，目前国产的八寸设备，基本上可以拉起一条生产线，而且性能还不错。这是目前的现状，通过国家08年开始部署的重大专项，发展到现在，八寸线方面，如果你要找国产设备，除了光刻机稍微弱一些，其他设备基本上国内厂商可以拉起一条生产线，问题不大。但现在实际情况是，国内很多投资者，或者芯片生产厂商，大量进口国外用过的设备。因为没有八寸的光刻机，要买只能买二手，甚至三手，四手。现在不知道是地方利益，还是投资者原因，不太愿意去买国内设备，还是比较热衷国外设备。
这当中也有一定的历史原因，比如说我建生产线，一般都是跟着产品订单来。通过去找飞利浦和意法半导体等公司，把产品和产线都拉过来，产品也相应有着落了。不会只是单纯建个线，然后再去找产品填满产线。一般是，我买了对方设备，相应产品订单就跟着进来了。就算买国产设备，拉起一条晶圆线，产品来源是问题，工艺与技术又从哪里来，又会存在这些问题。所以这也是一个客观原因，存在供应链验证的问题。
17、八寸线可能大多是铝制程，十二寸是铜制程，从技术路线来说，什么样的产品可以从8寸转到12寸。从经济角度来说，什么样的产品适合8寸转到12寸？两者会遇到兼容性问题吗？
如果说，产品需要的量比较大，其实都可以转到12寸线上。如果设计都不变，需要的芯片量足够大，完全可以移至12寸线，没任何问题。兼容性问题不大。打个比方像盖章一样，原来在小纸上盖章能盖的下，现在换一张更大的纸，能盖更多的章。比如原来一片8寸晶圆，可能得到50片芯片，换到12寸晶圆，可能得到150片芯片。就看你是否需要这么高的制造产能。
18、有没有相关数据，如三星电子开发20nm制程DRAM，和国内合肥长鑫开发20nmDRAM制程的设计+流片费用的大概占比？
有相关数据比例。设计时所需的EDA工具，需要多久设计完成，以及流片的次数和费用，都是可以估算到的。流片的费用到fab市场部门，设计方面费用可以找EDA设计公司咨询。比如台积电或者其他代工厂新品发布，都会公布这些数据。
19、DRAM和NANDflash在工艺上具体有什么差别？那具体在哪些环节上不太一样，例如离子注入方面？
差别比较大。DRAM的电路设计带有电容，对于NANDflash来说，在gate栅极上做浮栅。结构不一样，对应的工艺和掩模都是不一样的。不仅仅是离子注入环节，器件的结构都不一样，所以直接区别表现为，版图就不一样，对应工艺流程相当不一样，设备可能有通用，但是具备排列组合不一样。
20、从设计的角度，DRAM的设计难度是否更难一些？
也不能这么说，从整体设计角度来说，存储器件的设计都不太难，它们的图形都很规则，就是为了实现存储，不断缩小，扩大单位面积的存储单元，但是这些存储单元都是重复性结构。而逻辑器件，是千变万化的结构，来实现更复杂的功能。所以设计上跟逻辑器件相比，还是不太一样。
21、那是否意味着未来没有一家IDM公司只做DRAM，不做NAND。因为设计方面有共同之处，所以可能两个产品都会做？
这个不太好说，有部分原因吧。一般存储器公司都会有其产品组合，相对来说，存储器件之间的差别，比逻辑器件之间的差别要小一些。
22、国内光刻机技术，到达了怎样水平？技术节点是65nm还是90nm？未来有没有相关的规划？
目前国内光刻机技术节点是90nm的水平，上海SME已经有样机出来，并通过国家验收。现在国家也在布*做更高技术节点的光刻机，有一些企业也在投入研发。
中信建投电子观点
韦老师刚刚和我们分享了国内集成电路产业的情况，我想大家受益良多，再次感谢下韦老师。接下来我简短阐述下我们团队对于晶圆制造及相关环节的主要观点：
（1）目前全球半导体行业整体仍然处于高景气阶段
从半导体产品销售金额看，18年Q1全球半导体销售额达到1113.8亿美元，同比增长21.2%，与17全年21.6%的增速持平，继续高增长态势。
而从设备出货看，北美半导体设备商5月出货金额为27.05亿美元，同期日本设备商出货金额为20.17亿美元，均有约20+%的同比增长。北美与日本半导体设备出货均创历史新高。总体而言，目前半导体下游应用稳健增长，带动上游晶圆制造/设备等环节需求强劲。
（2）大陆晶圆制造环节相对偏弱，8寸线与非最新工艺节点是中短期看点
从产业链看，IC制造营收规模最大，约2000亿美元，是设计的2倍，封测的4倍。制造环节的毛利率约47%，仅次于轻资产的设计，与设备环节相当。中国大陆目前IC制造环节相对偏弱，营收占比约26%，小于设计与封测占比。中国地区晶圆代工产值占全球比例不足10%，而中芯国际、华虹宏力等代工厂营收占全球比例不足5%，有较大成长空间。
从产线看，台湾和韩国12寸晶圆线占比较高，为25%+，中国占比大约为10%；中国8寸线及以下产能全球占比较高，为20%，高于韩台。未来10纳米以下制程需求将持续提升，其余14nm/28nm等其他线宽的制程市场规模没有明显衰减，比例保持稳健。国内代工厂在8寸线与非最先进制程上已经具备相当竞争力，未来有望持续往12寸产线及14nm/7nm等先进制程持续突破。
（3）大陆晶圆产能有望扩张2-3倍，晶圆制造/设备有望迎来发展良机
大基金一期65%投资到代工、存储、射频/功率器件等芯片制造领域。2018-2020年大陆规划约有25条新增fab线，在建+拟建的晶圆产能有望扩产2-3倍。新增fab产线以存储、代工为主，功率器件/MEMS其次；中芯国际在代工业务，紫光在存储业务上扩产较多。
同时，受益于受物联网、汽车电子、服务器、快充等下游应用刺激，存储器、功率器件、驱动IC、MCU等器件需求持续增长。但是目前全球8寸线产能紧张，国内厂商在具备相当竞争力的8寸线代工，制造设备，及功率器件/MCU/驱动IC等分立等环节迎来替代良机。
建议关注中芯国际、华虹、华力微、三安光电、士兰微等国内优质晶圆制造企业，看好刻蚀/镀膜/清洗/激光等设备环节的机会，下游器件厂商如存储的兆易创新、紫光国芯、分立器件的扬杰科技、韦尔股份等也有望迎来发展机遇。
这就是我们建投电子团队的主要观点！谢谢各位投资者的参会。
敬请关注中信建投电子团队
黄瑜：电子行业首席分析师，执业证书编号：S1440517100001 。复旦大学硕士，6年电子行业研究经验。2014年新财富第二名，水晶球第一名上榜。善于挖掘长期成长型的行业与个股，2017年加入中信建投电子团队。
马红丽：电子行业分析师，执业证书编号：S1440517100002。东南大学信息工程学士、应用经济学硕士，2015年加入国信证券研究所从事电子行业研究。2017年加入中信建投电子团队，专注于消费电子、PCB等领域研究。
陶胤至：电子行业研究助理，执业证书编号：S1440116110010。北京大学电子与通信工程硕士，电子科技大学微电子学士，三年航天企业技术研发经历，工程师职称。对半导体及面板产业链有较深入研究，2016年加入中信建投电子团队。
季清斌：电子行业研究助理，执业证书编号：S1440117080346。北京大学物理学博士，半导体光电领域6年科研经验。专注半导体、安防、LED、激光器、射频及功率器件等领域研究。2017年加入中信建投电子团队。
免责声明
本公众订阅号为中信建投TMT电子行业研究团队设立的。本订阅号不是中信建投证券TMT电子行业研究报告的发布平台，所载内容均来自于中信建投证券研究发展部已正式发布的TMT电子行业研究报告或对报告进行的跟踪与解读，如需了解详细的报告内容或研究信息，请具体参见中信建投证券研究发展部的完整报告。在任何情况下，本订阅号所载内容不构成任何人的投资建议，中信建投证券及相关研究团队也不对任何因使用本订阅号所载任何内容所引致或可能引致的损失承担任何责任。本订阅号对所载研究报告保留一切法律权利。订阅者对本订阅号所载所有内容（包括文字、音频、视频等）进行复制、转载的，需注明出处，且不得对本订阅号所载内容进行任何有悖原意的引用、删节和修改。
最新！芯片行业有哪些知名企业?
内容源自网络，侵删。
芯片设计
芯片设计是产业链中重要的一环，影响后续芯片产品的功能、性能和成本，对研发实力要求较高。根据不同的下游应用，可分为四类：
（一）集成电路：存储器、逻辑芯片（CPU、GPU）、微处理器（MPU)、模拟芯片
（二）分立器件（含功率半导体）：MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管
（三）传感器：MEMS、图像传感器
（四）光电器件
（一）集成电路
兆易创新：国内闪存芯片存储器及MCU微控制器设计双龙头。在全球NORFlash的市场占有率为6%，已跃居全球第三。公司作为国内MCU微控制器市场的龙头公司，2020年销售接近2亿颗，2021年公司业绩将伴随着工控等领域的快速放量，迎来快速发展的时期。
北京君正：收购北京矽成，成为国内稀缺的汽车存储芯片领军企业。北京矽成在全球车用DRAM存储芯片市占率15%，全球排名第二。收益于汽车电动化与智能化对车用存储芯片数量和容量要求的提升，实现量价齐升。微处理器芯片业务收益于智能终端硬件需求的爆发。公告拟定增募集资金拓展车载LED照明芯片。
国科微：我国固态存储芯片技术领先代表，最新产品达到国际平均水平、深耕智能安防监控芯片，积极布*AI智能监控芯片。
圣邦股份：国内模拟芯片龙头，电源管理芯片及信号链芯片受益于5G、工业驱动、人工智能和汽车升级，叠加国产替代，空间广阔。
思瑞浦：业务与圣邦股份高度重合，国产信号链类模拟芯片龙头企业。公司的信号链模拟芯片为5G射频模拟芯片的主要组成部分，综合性能已达国际标准。
卓胜微：射频前端领域处于国产领先地位，5G通信技术的发展带动射频前端市场需求的快速增长，公司产品在客户端持续渗透。
晶丰明源：在LED照明驱动芯片市场处于龙头地位，技术和市场均处于领先水平，出货量全球第一。晶丰明源今年也发了6次涨价函，原因是原材料价格上涨和产能紧张。
明微电子：深耕LED驱动业务，显示与照明业务齐头并进，技术研发能力处于行业领先地位。与晶丰明源比主要为LED显示驱动芯片。2020年显示驱动芯片厂商中排名第三，市占率为13%。
中颖电子:公司主要产品包括微控制芯片及OLED显示驱动芯片，受益于下游智能家电领域产品需求量和智能化水平的提高，国产替代空间广阔。
景嘉微：A股极其稀缺的图形处理器芯片标的，主要应用于军事装备，在国内机载图显领域占据大部分市场份额，正由军用向信创及民用市场拓展。
乐鑫科技：全球物联网WiFi-MCU芯片龙头企业，市场份额全球第一，占比超30%。产品下游主要是智能家居、电子消费产品、传感设备及工业控制等，充分受益下游物联网市场发展。
富瀚微：安防芯片设计龙头。2020年原本的安防芯片龙头海思受到美国的制裁被动退出市场，公司在下游客户供应链切换过程中抢占先机，实现海思产品80%的替代。2020年公司在安防前端ISP芯片领域市场份额达到60%-70%。同时公司基于视频处理能力进入汽车摄像头市场，渗透率不断提升，提供新增长动能。
全志科技：老牌智能终端处理器SOC芯片设计企业。（SOC即片上系统，可以简单的理解为把系统做在一块芯片上，是未来工业界将采用的最主要的产品开发方式。）其产品主要布*物联网，智能家居等领域，京东的智能音箱以及小米的智能扫地机器人就是搭载全志科技的soc芯片。
瑞芯微：专注SOC设计，发力电源管理领域。5G终端对电池续航能力的要求同步提升，进而对电源和功耗的管理提出了更高要求。公司快充芯片与普通的电源管理芯片相比，在占用体积、能量转换效率和散热量等方面均有较大程度的优化，性能和可靠性指标均处于市场领先水平。
（二）功率半导体
新洁能：专业从事MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。IGBT是目前增速最快的功率器件细分市场，公司产品线完整，成为公司的营收增长新动力。同时公司重视第三代半导体功率器件研发，积极研发新能源汽车用功率半导体。
（三）传感器
韦尔股份：国内图像传感器设计龙头，业务位于全球前三,国内第一。2019年成功收购了两个影像传感器CIS设计公司豪威和思比科，设计业务收入超过世界第十的芯片设计上市公司。
芯片制造
在市场需求、国家政策、资本投入的驱动下，全球晶圆代工产业逐渐向中国大陆转移，中国大陆成为全球增速最快的晶圆代工厂。2016-2020年全球新增投产晶圆厂中在投产在中国大陆的比重达到42%，其他分散在全球各国国家。
晶圆制造原理为根据设计版图进行掩膜制作，形成模版，在晶圆上批量制造集成电路，芯片通过多次重复运用掺杂、沉积、光刻等工艺，最终在晶圆上实现高集成度的复杂电路。
（一）制造厂
不少纯设计厂向IDM转型，具备设计、研发、生产能力，我们将这一类的企业归为制造厂一类。
1、集成电路
中芯国际：无可争议的国产芯片代工龙头，技术与规模均为国内第一，代表集成电路国产替代的最先进制造水平，市占率全球第四。受到制裁之后研发预计会停滞数年，先进制程的生产规模扩张也会同步停滞。
紫光国微：智能安全芯片及国内特种IC双龙头，“万能芯片”、车规芯片多点开花。子公司国微电子产品线齐全、技术实力强，是国内特种IC龙头企业。子公司紫光同芯国内智能卡芯片龙头，市场渗透率进一步提高。子公司紫光同创为国内民用FPGA领军企业，打破了海外寡头垄断，国产替代空间大。
富满电子：主营为LED控制及驱动类芯片、电源管理类芯片，同时具有“设计+封测”一体化供应能力。公司已在小间距&MiniLED控制驱动核心技术领域取得突破，在快充芯片领域也实现率先突破，技术实力国内领先。积极布*MOSFET领域，有望充分受益功率半导体国产替代。
2、功率半导体
泛指处理电力的芯片，其主要功能是将繁杂不一的电力，处理为终端产品所需的规格。比如电流从电动车的电池输出后，通过不同的功率芯片处理，既可以驱动电机，又可以驱动空调和音响。
MOSFET：即场效晶体管。主要应用于电脑功率电源、家用电器等，占全球功率器件市场超4成比重。
IGBT：应用涵盖从工业电源、变频器、新能源汽车、新能源发电到轨道交通、国家电网等一系列领域。
华润微：国内功率半导体IDM龙头之一，是国内营业收入最大,产品系列最全的MOSFET厂商。拟与国家集成电路产业投资基金二期及重庆永微电子共同成立润西微电子，建成后预计达到月产3万片12寸中高端功率半导体晶圆生产能力。
斯达半导：国内IGBT半导体龙头,全球IGBT模块市场排名第七,是国内唯一进前十的企业，市场优势地位显著。从纯设计厂向IDM转型，以保证产能供应，产品主要用于工控与电器领域。拟定增募资35亿元购买光刻、显影、蚀刻等设备盖厂，设计产能36万片功率半导体，用于高压特色功率芯片和碳化硅，以尽快推出车规级SiC芯片，以完善车用电源市场的产品布*。
士兰微：国内功率半导体IDM龙头之一，主要集中于MEMS传感器、高压集成电路、半导体功率器件这三个主要技术方向。
捷捷微电：晶闸管龙头企业，产品性能达到国际领先水平。业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造及封装测试等全业务环节。今年7月公告拟扩建功率半导体6英寸晶圆及器件封测项目，产品从晶闸管与防护器件等领域，扩展至IGBT模块。此外公司车规级封测产业项目落地，产业链逐步完善。
扬杰科技：公司是国内领先的功率半导体IDM厂商，具备完善的芯片设计、晶圆制造、封装检测能力。国内功率二极管龙头，并逐步往MOSFET、IGBT、第三代半导体功率器件等高端产品延伸。应用领域涵盖电源、家电、照明、安防、仪表、通信、工控及汽车电子等多个领域。公司产品在光伏领域应用占比较高，营收约占15%。
闻泰科技：耗资181亿收购来的安世半导体是全球功率半导体龙头，产品主攻消费电子与汽车领域。其主要产品为逻辑器件、分立器件和MOSFET器件，是一家集设计、制造、封装测试为一体的半导体跨国公司。三大业务均位于全球领先地位，逻辑器件排名第二、二极管和晶体管排名第一、车功率MOSFET排名第二。
立昂微：茁壮成长的半导体硅片+功率器件领先企业，主攻肖特基二极管芯片。
三安光电：国内LED芯片龙头。总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目今年6月正式投产，这是国内首条、全球第三条碳化硅IDM生产线。
3、传感器
赛微电子：原名耐威科技MEMS芯片晶圆制造。2016年赛微通过收购瑞典Silex,获得全球领先工艺IP,切入MEMS纯代工赛道成为MEMS全球代工领头羊。公司目前可生产微流体、微超声、微镜、光开关等多种器件。
（二）材料与辅料
半导体制造过程相当复杂，先进制程多达500多道工序，需要用到大量材料。因此半导体材料也是整个产业链中细分领域最多的，具有很高的技术和资本壁垒。
其中，硅片（晶圆）价值占比最高，超过1/3，其次为电子特种气体占比13%，光掩模、光刻胶及辅助材料各占比12%左右，其余材料占比均低于10%。
半导体材料成本占比分类：
1、硅片
硅片是集成电路制作中最为重要的原材料，市场规模最大。当前全球50%以上的硅材料产能集中在日本，前五大厂商份额超过90%，国内规模最大的是沪硅产业。
沪硅产业：纯正的半导体硅片公司，产能、技术国内领先。率先实现300mm硅片规模化生产，打破了大硅片零国产化僵*，但产能利用率低，尚未实现规模效应。由于折旧费用高300mm硅片毛利率为-34.82%，国内三家硅片厂商中毛利率最低，尚未实现盈利。
中环股份：中环以光伏硅片为主，占比接近90%，半导体硅片仅占总收入7%。虽然规模不大，但是中环半导体硅片产能提升很快。12英寸20年产能为7万片/月，21~23年将持续放量，产能预计将超过60万片/月。光伏和新能源布*可以实现协同，未来大硅片产能释放，具备龙头溢价空间。
立昂微：立昂微硅片产品尺寸较小，且具备抛光片-外延片-功率器件的一体化优势，因此毛利率最高超过40%。15万片/月的12寸硅片预计今年底建设完成。除了半导体硅片，还有功率器件和射频芯片业务。
2、电子特种气体
半导体生产中几乎每个环节都要用到电子特气，且其很大程度上决定了最终产品性能的好坏。同时所用气体的品种多、质量要求高，因此被称为半导体制造的“血液”。虽然国产化率还不高，但国产替代速度比较快。
南大光电:其自主研发的氢类气体磷烷、砷烷，是电子特气中技术壁垒最高的两种，打破了国外技术封锁和垄断，不仅在LED行业市场份额持续增长，在集成电路行业也快速实现了产品进口替代，得到了广大客户的高度认可，目前占据国内市场份额达75%以上。同时公司MO源产品实现了国内进口替代，是全球主要的MO源生产商。MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料。
华特气体：公司研发出的20种进口替代产品已实现规模化生产。特气体也通过了全球最大光刻机供应商ASML公司的产品认证，并为中芯国际、华虹宏力等一线企业供货。
雅克科技：是半导体材料中的平台型企业，类似北方华创在设备中的地位。业务包括半导体化学材料，电子特气，光刻胶。产品覆盖半导体薄膜、光刻、沉积、刻蚀、清洗等核心环节。前驱体、SOD，打破海外垄断。2020年收购LG化学彩色光刻胶，获得了彩色光刻胶和TFT光刻胶等成熟技术和量产能力，有效弥补国内彩色光刻胶生产的空白。
3、光刻胶
光刻胶技术壁垒高，价值含量高，被成为半导体材料中的“明珠”。高端光刻胶市场基本被日本企业所把持，使用量最高的KrF光刻胶和ArF光刻胶国产化率低于5%，进口替代空大。
华懋科技：主营为安全气囊材料，通过持有徐州博康29%的股权，进军半导体光刻胶产业。徐州博康的光刻胶单体业务占全球市场份额的5%，并已存储了全球80%的光刻胶单体产品技术，成为中国唯一的高端光刻胶单体材料研发和规模化生产企业。目前已成功开发出10+个高端光刻胶产品系列，半导体光刻胶一体化优势显著。
彤程新材：主营为特种橡胶助剂，通过控股北京科华进入半导体光刻胶市场。北京科华是唯一列入全球光刻胶八强的中国光刻胶公司，同时也是国内销售额最高的光刻胶公司。中国i线产品国产替代基本上靠北京科华贡献，同时也是唯一可以批量供应KrF光刻胶给8寸和12寸客户的本土光刻胶公司，产品达到世界一流水准，打入中芯国际、长江存储、华虹半导体等国内厂商。
晶瑞股份：晶瑞股份的产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料和基础化工材料等。
光刻胶领域：子公司苏州瑞红作为国内光刻胶领域的先驱，规模生产光刻胶30年，产品技术水平和销售额处于国内领先地位。i线光刻胶已取得了中芯国际天津、扬杰科技的供货订单；高端KrF（248nm）光刻胶完成中试，建成了中试示范线。
南大光电：公司成功自主研发出国内首支通过客户认证的ArF光刻胶产品，两次通过客户认证。公司目前已经建成25吨生产线（5吨干式和20吨湿式）,在光刻胶国产化的大趋势下，光刻胶业务将带动公司业绩迈入新的成长空间。
4、CMP抛光材料
CMP抛光材料、靶材国产化程度最高，部分产品技术标准已到达世界一流水平，本土公司已实现批量供货。
抛光液和抛光垫是CMP抛光的主要材料，属于高价值易耗品，毛利高，认证时间长，客户黏性强，竞争格*也相对较好。产品价值上，抛光液高一些，占总材料成本49%，抛光垫占33%，其他材料合计不到20%。
安集科技：国内抛光液龙头，目前安集科技在国内没有对手。国内市场份额超过20%，仅次于卡博特。抛光液的技术含量很高，且由于其专用性，绑定大客户后未来增速也很有保证。
鼎龙股份：国内抛光垫龙头，主要是做打印复印耗材的，近年来开始布*半导体材料，抛光垫去年开始放量。成为长江存储的一供，对中芯国际也持续放量。
5、高纯湿电子化学品
超净高纯试剂是指主体成分纯度高于99.99%的化学试剂，主要用于芯片的清洗、蚀刻等制造领域。
江化微：国内湿电子化学品龙头，打破国外企业限制壁垒，逐渐实现中低端市场的国产化替代。其超净高纯试剂、光刻胶配套试剂产品具备为平板显示、半导体、光伏等领域提供全系列湿电子化学品能力。
晶瑞股份：超净高纯试剂占其营收的20%。超纯双氧水、超纯氨水及在建的高纯硫酸等主导产品已达到G5等级，其它高纯化学品均普遍在G3、G4等级。
6、靶材
江丰电子：国内高纯溅射靶材行业龙头，目前已可量产用于90-7nm半导体芯片的钽、铜、钛、铝靶材，其中钽靶材在台积电7nm芯片中已量产，5nm技术节点产品也已进入验证阶段。
（三）制造设备
半导体景气周期有着“设备先行、制造接力、材料缺货”的传导规律。中国大陆迎来投资建厂热潮，对半导体设备的需求也水涨船高。今年上半年，半导体设备的同比出货量相比去年增长了50%，设备制造商接单不暇。
由于半导体设备技术壁垒高，研发难度大、周期长，是整个产业中最关键的环节之一。因此要实现我国半导体产业链的自主可控，半导体设备至关重要。
半导体设备价值含量高，投资占晶圆厂建设投资75-80%，当前我国内半导体设备自制率仍较低，2020年国产化率约为16%。但部分领域国内厂商打破空白，技术不断追赶。
北方华创：国产半导体设备的绝对龙头，平台属性强。体量大；研发实力强属于国内一线；市占率领先，刻蚀设备国内市占率7%。产品线丰富，产品涵盖热处理、刻蚀、薄膜沉积（PVD、CVD）、清洗等设备。硅片设备-热处理设备-光刻设备-刻蚀设备-离子注入设备-薄膜沉积设备-抛光设备-清洗设备-检测设备。
长川科技：公司主要从事集成电路专用设备的研发，生产和销售，是一家致力于提升我国集成电路专用装备技术水平，积极推动集成电路装备业升级的高新技术企业和软件企业。
1、硅片设备
硅片制造是芯片生产的第一道环节，单晶硅生长炉是生产单晶硅的主要半导体设备。
晶盛机电：国内晶体硅生长设备龙头，应用横跨半导体光伏两大产业，国内高端市场占有率第一。技术领先，实现大硅片多项技术突破。同时向切片、抛光、外延等设备拓展，目前已经完成技术认证。甚至还出了第三代碳化硅半导体设备，已交付客户使用。
2、热处理设备
热处理设备即高温炉，主要是对硅片进行氧化、扩散、退火等工艺处理。供应商主要是国外厂商，国内龙头厂商北方华创在热处理设备的各个细分领域均有成熟的产品线，市占率也在逐年上升。北方华创热处理设备在长江存储的占比已经超过了30%。
3、光刻设备
光刻是将设计好的电路图从光刻版转印到晶圆表面的光刻胶上，便于后续通过刻蚀和离子注入等工艺实现设计电路。光刻是晶圆生产的核心环节，设备包括光刻机和涂胶显影设备。
光刻机是晶圆加工设备中技术壁垒最高的设备，该市场为荷兰企业ASML（阿斯麦）所垄断，目前国内具备光刻机生产能力的企业主要是上海微电子。
芯源微：涂胶显影机行业龙头，成功打破了国外厂商垄断成为唯一的本土厂商，产品已经陆续通过了下游晶圆厂线的工艺验证，市占率5%。公司近年也开始切入湿法清洗设备领域，跟盛美股份，至纯科技和北方华创等展开竞争。
4、刻蚀设备
刻蚀设备在晶圆厂设备支出中仅次于光刻设备，且刻蚀设备数量更多，可替代比例更高，目前我国的刻蚀设备是比较先进的。
中微公司：刻蚀设备龙头企业，介质刻蚀机已打入5nm制程，技术接近世界级水准，国内市占率达13%。
北方华创：技术节点达到28nm，刻蚀设备国内市占率7%。
5、离子注入设备
硅片刻蚀后，需要将一些特殊的杂质离子注入到硅衬底去，这就是离子注入机。国内离子注入标的稀缺，仅凯世通和中科信。
万业企业：公司主营房地产业务，2018年收购凯世通切入半导体离子注入设备。产品已进入产线验证阶段，并于去年取得4台订单。
6、薄膜沉积设备
薄膜沉积工艺，分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和外延三大类。
北方华创的PVD设备已经用于28nm生产线中，14nm工艺设备也已实现重大进展，国产化率约30%。
7、抛光设备
晶圆制造的后期，需要对硅片表面进行平坦化处理，这就用到了抛光机。
该领域的龙头是华海清科，技术领先，合计市占率达20%。首发申请获上交所上市委员会通过，将于上交所科创板上市。
8、清洗设备
清洗设备目前国产化率最高，达到20%。随着工艺流程延长且复杂，每个晶片在整个制造过程中需要至少超过200道清洗步骤。
是正在申报科创板IPO的盛美股份，深耕半导体清洗设备十余年，，国内企业中市占率最高，产品进入中芯国际、长江存储、SK海力士等企业供应链。
盛美股份：科创板IPO正式提交注册的盛美股份是半导体清洗设备龙头，技术优势领跑同行业。占据国内80%的市场份额，其余20%则由北方华创、芯源微和至纯科技三家公司瓜分。
至纯科技：公司目前湿法清洗设备订单充足，排产计划已经到了2022年。设备可实现28nm湿法工艺全覆盖，可以满足国内绝大部分晶圆厂的要求，单片清洗设备预计会在下半年批量交付。
9、检测设备
检测设备主要用于检测芯片性能与缺陷，贯穿于半导体制造过程中的每一步主要工艺，按不同环节分为前道测试和后道测试设备。
前道测试设备主要用于晶圆加工环节，属于质量检测，壁垒更高。目前国内企业竞争力较弱，国产化率低于5%，处于技术、产品突破阶段。
精测电子：以半导体前道检测设备为主,同时布*后道，形成半导体测试领域全覆盖。其自动检测设备基本实现国产化,且已在国内一线客户实现批量重复订单。
赛腾股份：深耕自动化组装、自动化检测设备，通过收购日本Optima进入半导体检测设备领域。Optima在晶圆缺陷检测设备上有成熟的产品线，该技术储备对国内来说是稀缺的，由此占据了发展先机。
芯片封装测试
中国凭借低廉的劳动力，首先承接了对劳动力需求较大，技术要求较低的半导体封测业务。目前大陆的芯片封装、测试整体上已经达到国际先进水平，产业链条（封测厂、装备、材料）比较完整。
（一）封测装备
检测设备的后道测试设备主要用于晶圆加工后的封测环节，主要为电学检测。
设备主要分为测试机（ATE）、分选机、探针台，三者中，测试机市场最大，价值量更高。伴随三大封测厂商的扩产计划，会直接增加对国产后道测试设备的需求。
长川科技：国产半导体测试设备综合龙，头分选机为主、测试机为辅，多赛道布*。产品具备竞争力，主要性能指标已达国内领先、接近国外先进技术水平。
华峰测控：测试机设备龙头，已可实现国产替代。技术国内领先，接近世界一流水平，进入了封测龙头供应链。测试机在半导体检测设备中价值占比高，华峰测控的毛利达到80%，领先同行，盈利能力强。但同时受制于单一赛道，成长速度受限。
（二）封测材料
康强电子：国内半导体封装材料龙头，是我国规模最大引线框架生产企业。
（三）封测厂
我国是封测大国，拥有“封测三杰”——长电科技、通富微电、华天科技，此前都宣布了各自的扩产计划。
长电科技：国内封测企业的龙头，全球排名第三，市占率达14.4%。高端封装技术与国际第一梯队齐头并进，公司在收购星科金朋后进一步发展了SiP、晶圆级和2.5D/3D等先进封装技术，并实现大规模量产远超传统封装的产量和销量。
通富微电：全球第六的封测厂，市占率7%。聚焦大客户战略，长期布*存储、微处理器等产品的先进封装技术。日前开发了国内第一款SiP电源模块的封装技术，该技术可应用于包括5G在内的各种基站和网络电源，目前已实现批量生产。
华天科技：通过自建及收购拥有多个国内外多个厂区，低端、中端、高端全方位布*。
判断秋招薪资水平很费力？
大同学吧薪酬查询，比薪只需一秒！
戳下图，扫码立刻爆料获取个人薪资竞争力分析
半导体工艺工程师前景和待遇？
目前，半导体行业是高科技产业中的一个重要领域，而半导体工艺工程师是该领域中不可或缺的人才。该职位的未来发展前景非常广阔，特别是在人工智能、物联网、5G通信等新兴领域，这些领域对于计算机芯片和处理器的需求也越来越大，因此相关专业人才的需求也将随之增加。
目前，半导体工艺工程师一般需要有硕士或博士学历，并具备扎实的物理、化学、材料学等基础知识，以及熟练掌握半导体工艺制程技术。据了解，该职位的平均工资水平较高，一般处于年薪20万-50万之间，但具体收入还取决于工作年限、技能水平、公司规模和所在地区等因素。
总体来说，随着半导体行业和各个细分领域的快速发展，半导体工艺工程师的职业前景是非常广泛的，而待遇也比较优厚。但是也需要指出的是，该职位要求的硬件条件非常高，需要具备精湛的专业知识和技能，因此对于想从事该领域工作的人来说，需要花费大量的时间、精力和金钱投资自己的学习和职业发展。
北方华创行业前景怎么样？北方华创行业前景分析怎么样？一文告诉你答案！_漫漫看专栏
半导体设备处于整个半导体制造产业链的上游，再者是此时我国快速发展的高新产业里面的一份子。
最近不少股民朋友都在公众号问我，北方华创 002371怎么样呀？值不值得上车？今天咱们就来详细讲讲，北方华创这支半导体板块的热门股。
半导体设备，指的是用于生产各类半导体产品所需（晶圆制造占80%，还包括检测、封装、硅片制造等）的生产设备。
是半导体产业链的上游，从芯片设计、晶圆制造到封装测试等环节，只有符合设备允许的范围内才能进行设计和制造，可谓是“一代设备，一代工艺，一代产品”。
下面给大家从需求侧和供给侧来分析下半导体设备板块的投资逻辑：
由于近几年5G应用、光伏、汽车电子、人工智能、工业物联网等领域发展特别快，叠加海外疫情肆虐带来的“缺芯荒”，芯片市场需求量大，晶圆厂急需扩产，同时芯片国产替代步入了快速发展阶段，所以产生大量的半导体设备需求。
从全球看，半导体设备行业确实是集中度超高的行业，眼下可以说是被美日企业所把持，我国半导体设备企业虽然起步时间没多久，不过借助企业的努力和国家扶持，在多个领域已填补国内空缺，技术迅猛追赶，供给能力以非常快的速度提升。
总的来说，因为芯片的需求量比较大，同时整个半导体的产业链倾向于国内发展，所以说未来半导体设备行业的景气度可持续走高。
如果你想了解有关半导体后期走势如何？又或者想知道后市应该关注哪些方向？直接点击下方链接,获取研究员对行业的深度解读：
北方华创科技集团股份有限公司是由北京七星华创电子股份有限公司和北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司战略重组而成，是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。
北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。公司此时构建了四大产业制造基地，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。
再看看营业收入，半导体设备、真空设备、锂电设备、电子元器件等是北方华创主要经营业务。
北方华创就是我们国内高端工艺装备的一家主流供应商，主要产品为电子工艺装备和电子元器件。
从半导体装备业务方面可以看出，公司将在研发中形成的具有自主知识产权的核心技术体系进行充分的利用，公司进一步对产品的研发应用进行扩展，将产品推入高端集成电路装备市场，所开发的用于12吋晶圆制造的刻蚀机、PVD、立式氧化炉、扩散炉、气体质量流量控制器等设备产品已成功实现了产业化。
从电子工艺装备方面会发现，北方华创面向集成电路、先进封装、半导体照明、微机电系统、功率半导体、化合物半导体、新能源光伏、平板显示等8个产品领域，其范围包括半导体生产前处理工艺制程中的大部分关键工艺装备。目前公司在北京经济技术开发区、中关村电子城高科技园区、美国宾夕法尼亚州拥有制造基地，营销服务体系的范围包括欧、美、亚等全球主要国家和地区，
根据我们调研得到的情况，全球半导体设备拥有的景气度提高了，国内半导体设备厂商的业绩很有希望进入快速放量阶段，一方面有成熟设备需求放量，另一方面还有新设备稳步验证，北方华创作为半导体设备国产化核心标的，有望显著受益。有关设备验证方面，目前国产设备的验证发展较为稳定；对于订单，正在稳步推进重点客户扩产规划，希望仅需很短的时间看到重点客户大额订单的落地及相应份额的显著提升，预计公司2021-2023年收入可达到96.0/145.0/195.0亿元。
另外，北方华创的刻蚀、炉管、PVD三大主力产品顺利大规模导入国内主要晶圆代工厂、先进存储制造商以及广泛的其他领域半导体制造项目，北方华创针对清洗、CVD等领域也开展布*，同时还拥有泛半导体领域的光伏设备、面板设备、LED设备及元器件业务。北方华创凭借广泛的产品线布*和丰富验证、商业导入经验，在本土晶圆制造的大扩展阶段能获得比较大的利益。
业绩预告显示，公司预计2021年实现营业收入84.8-109.0亿元，同比40%-80%；预计实现归母净利润9.4-12.1亿元，同比75%-125%；预计实现扣非后归母净利润6.9-8.9亿元，同比250%-350%，实现基本每股收益1.8730元/股-2.4082元/股。
2021年半导体行业快速成长和我国半导体产业链国产化的大趋势，造就了北方华创业绩增长，对于市场上的SEMI数据，估计2021年全球半导体设备销售额将创下1030亿美元的新高，和同期一比较，增加45%，中国大陆市场规模将保持首位。
遵照2021年业绩预告，我们对北方华创的主要财务指标表现进行了回顾总结：
相较于去年三季报而言，北方华创盈利能力有所下降。是一年中相对高位。
相较于去年三季报而言，北方华创成长能力有所下滑。在一年中平均位置。
和去年三季报一对比，北方华创偿债能力具有一定的稳定性。位置是一年中平均位。
与去年三季报进行对比，北方华创运营能力降低。
与去年三季报比较之后，北方华创现金流能力越来越差。属于一年中相对低位。
其中就现金满足投资实力逐渐被略显削弱了，现金运营指数低，显示利益质量下降。
排雷指标十分正常，意味着北方华创经营正常，公司运作井然有序。
该股委比为，卖盘比买盘；委差为，说明；外盘内盘，后期存在可能。
今天我们对半导体板块和北方华创的基本面、政策面、技术面、资金面都做了详细的分析，那么对于咱们散户而言，后市是应该继续增持还是减持？点击下方链接，一键获取分析结果：
数据来源：同花顺财经、股掌柜；图片来源：网络
【风险提示】本文内容中提到的投资品种不构成投资建议，请投资者注意风险独立审慎决策。投资有风险，入市需谨慎。
CVD制备薄膜工艺全析_设备_气体_化学
原标题：CVD制备薄膜工艺全析
1960年，在休斯顿举办的德州电化学学会研讨会上，巴特尔研究室的工程师，小约翰·布洛彻提出了一种用于制备薄膜的工艺——ChemicalVaporDeposition（CVD）。之后的数十年里，CVD工艺飞速发展，衍生出LPCVD、PECVD、MOCVD等多种技术分支。
CVD的成膜过程是以气体化合物为薄膜材料，在基板表面发生化学反应生成固体沉积物附着在基板表面，气体副产品则通过保护气体形成的气流吹走。
由于空气中的氧气、氮气及其他杂质气体也可能会参与基板表面的化学反应，为了制备高纯度薄膜，CVD通常也需要在一定的真空条件下进行。
APCVD（AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition），常压化学气象沉淀法，通常是指在标准大气压下利用气体化合物在固体基板上发生化学反应生成薄膜的工艺。由于标准大气压下气体分子密度较高，APCVD法沉积速率极快，高达600-1000nm/min。
进行APCVD之前一般需要用不参与反应的惰性气体（常用氮气、氩气等）清洗腔室，再通过该惰性气体作为载气运输反应气体。
同时，由于标准大气压下气体分子间碰撞频率较高，成膜速度过快，且容易发生不必要的杂质气体反应生成副产物，因此不太适用于对成膜质量要求较高的场合。
APCVD设备的构成包括反应腔（石英炉）、真空泵、气路系统、检测系统和尾气处理系统等。APCVD在工业上的成熟应用包括二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、硅化钛薄膜等。
LPCVD（LowPressureChemicalVaporDeposition），低压力化学气相沉积法是将反应气压控制在50-133Pa（千分之一个标准大气压左右及以下）下。由于低气压环境下气体分子密度降低，反应速率较低，同时也减少了反应副产品的产生，提高了成膜质量。
LPCVD相比APCVD需要更高的反应温度，因此能耗更高，对反应腔的耐高温性要求较高，实际反应过程与APCVD差异较小。
APCVD是最早出现的CVD方法，适用于微米级材料覆膜沉积，现逐渐被成膜质量更好的LPCVD取代。目前国际市场中APCVD的核心企业为北方华创（Naura）、SPTSTech（KLA旗下公司）、德国Schmid、Amaya、AvizaTechnology和拓荆科技（Piotech）。
在IC集成电路领域，国际厂商主要包括ASM、TEL、日立国际电器和AMAT。国内主要厂商为北方华创和盛美上海，中微公司目前正在研发中。根据2020年市场公开信息，虽然北方华创属于国内LPCVD龙头，但国产替代率仅为2%左右。
来源：集成电路产业全书
在光伏设备中，LPCVD主要用于TOPCon电池的氧化层钝化接触环节，目前国内拥有LPCVD设备技术的厂商主要有深圳拉普拉斯、捷佳伟创、普乐新能源和赛瑞达。
根据MaximizeMarketResearch数据，2021年全球薄膜沉积市场规模为190亿美元，CAGR15.7%，2025年预计达到340亿美元。根据LPCVD在薄膜沉积设备中约占11%规模估计，LPCVD全球市场规模2021年约20亿美元，2025年约为37.4亿美元。
PECVD（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition），等离子增强化学气相沉积法，是在反应腔内通过微波或射频等方式施加电场，使少量自由电子被加速轰击气体分子，从而将气体分子里的非自由电子激发产生链式反应，最终形成含有大量电子和离子的等离子体。
这些等离子体附着在基板表面，具有很高的化学活性，发生化学反应生成原子团。随着反应的进行原子团逐渐成长成核岛，核岛与核岛之间的缝隙又继续通过反应物填充最终形成整个薄膜。
根据各技术路线PECVD设备特性可以知道，PECVD设备的构成包括反应腔、等离子体激发源（包括直接法的腔内电极和间接法的腔外激发源等）、气路系统、真空泵（分子泵等高真空率真空泵）、压力控制系统、检测和尾气处理系统。
PECVD设备的应用分别在集成电路领域和光伏TOPCon以及HJT异质结太阳能电池的制备中。
在集成电路领域，国际市场主要被美国应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）、东晶电子（TEL）所垄断，约占全球市场规模的70%。国内厂商中，目前已有设备并通过客户端验证的是拓荆科技和北方华创，其他仍在研究或样机交付中。
光伏太阳能电池已经进入电池正表面微晶时代。国外设备提供商主要是德国MeyerBurger、日本ULVAC和美国AMAT。
目前，HJT电池主要采用板式PECVD结构，TOPCon电池可以采用管式或板式PECVD。HJT电池多采用的板式PECVD设备，目前市场中具备出货能力的有迈为股份、理想**晖和均石能源；捷佳伟创和金辰股份的样机仍在客户验证阶段。
根据SEMI2022年数据，按照PECVD在晶圆制造前端设备占比8%左右预计，全球半导体PECVD设备市场规模约80-82亿美金。
光伏电池PECVD设备采购方面，电池生产厂商一般是整线采购，包括PVD和其他CVD设备，乃至退火、清洗等设备，一条产线一般设备供货6个月，调试期3-6个月。PECVD产线设备总投资额约为1.6-1.8亿元/GW，约占整线设备价值量的20-30%。
ALD（AtomicLayerDeposition），原子层沉积法，是一种特殊的真空薄膜沉积方法，与CVD有一定的相似性，但ALD并不是通过直接气气反应或气固反应而形成薄膜，而是由至少两种前驱体反应物交替与基板发生自限性反应：
①清洗基板表面，并在基板表面生成羟基团等活性自由基团；②第一种前驱体通过载气进入反应腔内，在基板表面发生化学吸附或化学反应生成第一层原子层；③用惰性载气将反应腔内多余的前驱体和副产物清除；
④第二种前驱体通过载气进入反应腔内与第一种前驱体发生化学反应生成第二层原子层；⑤用惰性载气将反应腔内多余的前驱体和副产物清除；⑥上述5步称为ALD的一个反应周期，将两种前驱体与载气通过脉冲的方式反复循环任意反应周期，制备出所需厚度的薄膜。
ALD设备制备的薄膜具有均匀的厚度和优异的一致性，台阶覆盖率高，特别适合深槽结构中的薄膜生长，在先进逻辑芯片、DRAM和3DNAND制造中必不可少。
在ALD设备领域，由于ALD是先进制程所用的新兴工艺，因此玩家较多，TEL和ASM分别在DRAM电容和HKMG工艺。2020年，TEL和ASM两家合计占比约70%，各占据整体约三成份额。除此之外，美国应用材料、泛林和KE也都拥有较为成熟的ALD技术。
国内市场集成电路方面，拓荆科技较为领先。其适配55-14nm工艺需求的PEALD设备已实现量产。拓荆2016年首台ALD设备交付客户并于2018年通过客户14nm产业化验证。
除此之外，盛美上海、北方华创、中微公司也都拥有ALD技术及研发能力。在太阳能电池方面，江苏微导推出了适用于TOPCon电池夸父系列和后羿系列2种ALD设备。
ALD设备在CVD设备中比例约为18%，对应2020年的市场规模约16亿美元，中国市场约占5亿美元。
根据市场调查机构AcumenResearchandConsulting预测，由于半导体先进制程产线数量增加，2026年全球ALD设备市场规模约为32亿美元。但由于ALD的沉积速率较慢，综合考虑速率、性能等指标，ALD仍无法完全替代LPCVD/PECVD方法。
MOCVD（Metal-organicChemicalVaporDeposition），金属有机化合物化学气相沉积，工艺流程上与传统的高温LPCVD差异较小，沉积温度在400-2000℃区间，通常以氮气或氢气为载气、氮气等惰性气体为吹扫气体。
MOCVD是一种主要用于制备III-V主族和II-VI副族化合物的CVD工艺，其中III族主要为镓和铟等稀有的金属元素，V族主要为氮、磷、砷等元素，二族搭配的金属化合物多为优质的半导体材料。
MOCVD的金属气体化合物原材料一般为甲基或乙基的有机金属化合物，这些化合物有较低的蒸气压（通常在0.002Pa-2Pa之间），因此适合作为原材料。
目前，在化合物半导体量子阱、超晶格和异质结等低维结构的制备中，MOCVD越来越成为主要手段，并在化合物半导体LED、激光器、高频电子器件和太阳电池等领域具有规模化生产的能力。目前，国际上MOCVD的技术较为成熟，主流设备已经从2003年的6-8片机达到42-49片机。目前量产企业对于单批产能的最低要求是30片以上。
在全球范围内，MOCVD设备生产商主要有德国爱思强AIXTRON、美国维易科Veeco、中国中微公司等。其中，中微公司是我国半导体设备行业中的领先企业，在我国MOCVD设备市场中份额占比最高，除中微公司外，我国MOCVD设备生产商还有中晟光电、广东昭信等。
从薄膜沉积设备市场结构比例来看，2020年全球MOCVD设备约占4%-5%的市场份额约为8.40亿美元。
整体来看，随着半导体行业国产替代紧迫性加强，国内半导体设备厂商一方面不断扩产品种类，逐步走向打破国外厂商垄断的道路，另一方面也在积极研究先进制程所用的新兴工艺。同时，在推进碳达峰碳中和的背景下，光伏产业步入快速增长之路，也将利好光伏组件及设备产业的发展。
来源：iVacuum真空聚焦
免责声明：《全球光伏》公众号原创或转载文章仅代表作者本人观点，公众号平台对文中观点不持态度。如内容有不实或者侵权，请留言与本站联系。
☞☞光伏一周大事回顾：水灾、获奖、加班
☞☞光伏罗刹海市：字字珠玑，刀刀诛心！
责任编辑：
由内容质量、互动评论、分享传播等多维度分值决定，勋章级别越高()，代表其在平台内的综合表现越好。